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          兰州大学110周年校庆年系列活动之物理学院“格致?创新”论坛

          2019年第二十九期——郑昌喜研究员

          发布日期:2019-07-22 作者:    编辑:吴婷    来源:

          应物理科学与技术学院和萃英学院邀请,西湖大学理学院郑昌喜研究员将来访我院并做学术报告,届时欢迎广大师生参加!

          主讲人:郑昌喜  研究员

          题目:新型低能电子显微镜技术在表面动力学成像中的应用

          时间:2019829:30

          地点:格致楼3016

          摘要:分子束外延生长技术目前已被大规模用于制备各种薄层材料及其异质结。然而人们对分子束外延生长过程的原位实时研究一直是采用电子束衍射方法,并无很好的成像方法可以对外延生长过程进行原位实时成像。因此,人们并不清楚空间涨落的来源及其导致生长不均匀的机理。

          为了解决该难题,我们开发出新型低能电子显微镜系统及最新成像方法,从而可以对重要半导体材料的表面外延生长过程进行原位实时高分辨成像。通过成功开发III-V族低能电子显微镜,我们系统地研究了砷化镓表面外延生长动力学,纠正了砷化镓(001)的表面相图,并解决了砷化镓量子环的生长之谜,部分成果发表在《物理评论快报》。除了传统的半导体材料,低能电子显微镜对范德华层状材料也是一种强大的成像方法,例如,通过发展新型的成像技术,我们最近发现了室温范德华铁电材料,以及揭示了石墨烯堆垛次序对锂离子插层动力学的影响。

          主讲人简介:郑昌喜,博士,西湖大学理学院独立PI(特聘研究员)及低能电子显微镜实验室负责人。本科毕业于兰州大学、博士毕业于澳大利亚莫纳什大学,博士后继续留在莫纳什大学从事表面物理研究。2014年获得澳大利亚研究委员会DECRA奖,在此基金的支持下开展独立研究。郑昌喜长期从事低能电子显微镜技术的开发与应用,并取得了一系列的重要成果,陆续以通讯或第一作者发表在《科学进展(Science Advances)》等杂志,并受邀在2018年美国物理学会春季会议分会场作邀请报告。

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